|
☰ Все разделы → Комплектующие SODIMM Память для компьютера - Форм-фактор SODIMM в городе Киров➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные SODIMM Память для компьютера — купить в городе Киров и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 3633 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Киров, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 3633 шт:
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M471A2K43CB1-CTD OEM
Kingston HX426S15IB2K2/32 - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 2x16 Гб, 1.2 В, CL 15
Crucial CT16G4SFD824A - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x16 Гб, 1.2 В, CL 17
Kingston KVR16LS11/8 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти, DDR3 SODIMM, объем 8Гб, частота 1333МГц, CL9.
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston HX426S15IB2K2/16 - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 2x8 Гб, 1.2 В, CL 15
Оперативная память от производителя Kingston (KVR16S11/8) типа DDR3, объемом 8 Гб, позволит Вам увеличить производительность ПК.
1 модуль памяти, DDR3L SO-DIMM, 8Гб, 1600МГц, CL11.
1 модуль DDR4 SODIMM, 4GB, PC4-21300, 2666MHz, CL 17.
Crucial CT102464BF160B - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Kingston KVR24S17S8/8 - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 17
Kingston KVR24S17D8/16 - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x16 Гб, 1.2 В, CL 17
DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x16 ГБ, 1.2 В, CL 19.
Kingston HX316LS9IB/4 - DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 9
Crucial CT4G4SFS824A - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 17
Kingston HX424S14IB2/8 - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 14
Crucial CT51264BF160BJ - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G1600L2S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR13S9S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Corsair CMSX8GX3M2A1600C9 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 9
Kingston KVR16LS11/4 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD R534G1601S1S-UGO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц.
Отзывы о Память AMD SO-DDR3 4Gb 1600MHz (R534G1601S1S-UGO) OEM
Crucial CT8G4SFS824A - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 17
2 модуля памяти, объем одного модуля 16384 Мб, тип DDR4, форм-фактор SO-DIMM, частота 2666МГц.
Kingston KCP424SD8/16 - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x16 Гб, 1.2 В
Kingston KCP424SS8/8 - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В
Kingston HX426S15IB2/16 - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x16 Гб, 1.2 В, CL 15
Оперативная память Patriot Memory PSD48G240081S - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 17
1 модуль памяти 16Гб, DDR4 SO-DIMM, 2400МГц, CL17.
Crucial CT8G4SFS8266 - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 19
Оперативная память Qumo DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb - DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 ГБ, 1.35 В, CL 11
Оперативная память Transcend JM2666HSB-8G - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x8 ГБ, 1.2 В, CL 19
Оперативная память HyperX HX429S17IB2K2/16 - DDR4 2933 (PC 23400) SODIMM 260 pin, 2x8 ГБ, 1.2 В, CL 17
1 модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 8Гб, 1600МГц, CL11.
Оперативная память Kingston KVR800D2S6/2G позволит увеличить производительность Вашего компьютера
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GSK64V3H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend TS1GSK64V6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G16002S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Qumo DDR3 1333 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Patriot Memory PSD34G13332S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота - 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend JM1333KSN-4G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц
Transcend TS512MSK64V1N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7
Patriot Memory PSD22G8002S - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Transcend TS32MSD64V3F5 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Kingston KVR16S11S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16S11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64V6H - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
2 модуля памяти DDR4, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2133 МГц, CAS Latency (CL): 15
Память компьютерная, DDR4 2133 (PC 17000) SODIMM 256 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 15.
Patriot Memory PSD44G213381S - DDR4 2133 (PC 17000) SODIMM 260 pin, 1x4 Гб, CL 15
Kingston KVR21S15S8/4 - DDR4 2133 SODIMM 260 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 15
Patriot Memory PSD34G160081S - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11.
Apacer NOX DDR4 2666 SO-DIMM 8GB - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В
Kingston HX424S14IB2K2/16 - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 2x8 Гб, 1.2 В, CL 14
Kingston HX426S15IB2/8 - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 15
1 модуль памяти 4Гб, DDR3L, SODIMM, 1600МГц.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2400 МГц, CAS Latency (CL): 17.
Apacer DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb - DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 17
Отзывы о Оперативная память Apacer DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb (ES.08G2T.GFH)
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 Гб, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19.
Оперативная память HyperX HX432S20IB2K2/16 - DDR4 3200 (PC 25600) SODIMM 260 pin, 2x8 ГБ, 1.2 В, CL 20
1 модуль памяти, DDR3 SODIMM, 4Гб, частота 1600МГц.
Оперативная память Crucial CT4G4SFS8266 - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x4 ГБ, 1.2 В, CL 19
Память SO-DIMM DDR3, объем 8Gb, частота 1600МГц, CL 11.
Модуль памяти 4Гб, тип DDR3 SODIMM, частота 1600МГц, PC3-12800.
1 модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.
1 модуль памяти DDR4 SO-DIMM, 8Gb, 2666MHz, CL19.
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5.
1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 3000 МГц, радиатор, CAS Latency (CL): 18.
1 модуль DDR4 SODIMM, 4GB, PC4-19200, 2400MHz, CL17.
1 модуль памяти 16GB, SO-DIMM DDR4, 2666 МГц, CL19.
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GSK64W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64W3N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend TS512MSK64V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS256MSK64V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend TS512MSK64V3N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend TS256MSK64V3U - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend TS256MSK64W6N - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS256MSK64W6N-I - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64W6N - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Доставка товаров из категории "память для компьютера - форм-фактор sodimm" - в городе в Киров от 2х дней. Контакты - Киров » Изменить Город |