|
☰ Все разделы → Комплектующие 11 Память для компьютера - tRP 11 в городе Киров➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 11 Память для компьютера — купить в городе Киров и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 949 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Киров, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 949 шт:
Kingston (KVR16N11/8) объемом 8 Гб типа DDR3 позволит увеличить производительность Вашего компьютера.
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LS11/8 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Оперативная память от производителя Kingston (KVR16S11/8) типа DDR3, объемом 8 Гб, позволит Вам увеличить производительность ПК.
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16E11S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston HX318LC11FBK2/16 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 2x8 Гб, 1.35 В, CL 11
Patriot Memory PSD38G1600L2S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD32G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LS11/4 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LE11L/8 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16R11D4/16 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G16002S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD AE34G1601U1-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LR11D4/16 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LR11D4/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston (KVR16N11S8/4) объемом 4 Гб типа DDR3 предназначена для настольных компьютеров, позволит увеличить производительность Вашего компьютера.
Kingston KVR16S11S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16S11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD R534G1601U1S-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16N11H/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Память компьютерная, 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD34G160081S - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11.
1 модуль памяти 4Гб, DDR3L, SODIMM, 1600МГц.
Оперативная память Qumo QUM3U-8G1600C11L - DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В, CL 11
Модуль памяти (оперативная память) объемом 4 Гб типа DDR3 от производителя Kingston (KVR16N11/4) предназначена для настольных компьютеров, позволит вам увеличить производительность компьютера.
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16R11D4/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16N11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LS11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2GB, форм-фактор SODIMM, частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с.
Kingston HX318LC11FB/8 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 1x8 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston HX318LC11FBK2/8 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 2x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston HX318LC11FB/4 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston (KVR16N11S8/4) объемом 4 Гб типа DDR3 предназначена для настольных компьютеров, позволит увеличить производительность Вашего компьютера.
Kingston HX318LS11IBK2/8 - DDR3L 1866 SODIMM 204 pin, 2x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Corsair CMSO8GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PV38G213C1K - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16E11/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingmax DDR3 1600 DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD34G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD AE38G1601S2-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16S11K2/16 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16R11S4/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16N11S8K2/8 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11.
Отзывы о Память DDR3 8Gb 1600MHz Kingston (KVR16N11S8K2/8) RTL
Kingston HyperX Savage - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор, CAS Latency (CL): 9.
Отзывы о Модуль памяти Kingston HyperX Savage 8Gb (HX318C9SR/8)
Kingston HyperX Savage HX318C9SRK2/16 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор, CAS Latency (CL): 9.
Отзывы о Набор памяти Kingston HyperX Savage 16Gb (HX318C9SRK2/16)
Kingston HX318C9SRK2/8 - DDR3 1866 DIMM 240 pin, 2x4 Гб, 1.5 В, CL 9
Kingston KVR16R11D4/16 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11.
Kingston HX318LS11IB/4 - DDR3L 1866 SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston HX318LS11IBK2/16 - DDR3L 1866 SODIMM 204 pin, 2x8 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston HX318LS11IB/8 - DDR3L 1866 SODIMM 204 pin, 1x8 Гб, 1.35 В, CL 11
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16E11/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16E11/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1600 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LR11S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3L 1600 ECC SO-DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Оперативная память GoodRAM 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 W-MEM1600R3D48GLV - тип: DDR3, объем одного модуля: 8 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 11, особенности: ECC, Registered
Отзывы о Оперативная память GoodRAM 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 W-MEM1600R3D48GLV
Модуль памяти от производителя Kingston (KVR16S11/4) имея объем 4 Гб, тип DDR3, позволяет увеличить производительность Вашего компьютера.
Team Group TED32G1600HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34GM1600HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34G1600HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38GM1600HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38G1600HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED316G1600HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11D-8GSQ - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Silicon Power SP008GBLTU160N21 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11S-8GSQ - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11D-16GSQ - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD34G2133HC9KDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD34G2133HC9NDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD34G2133HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD38G2400HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD38G2133HC9NQC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD38G2400HC9NDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD316G2400HC9NQC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD316G2400HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD34G2400HC9NDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD364G2133HC11QCF01 - 8 модулей памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD332G2133HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD316G2133HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD38G2133HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD316G2133HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Доставка товаров из категории "память для компьютера - trp 11" - в городе в Киров от 2х дней. Контакты - Киров » Изменить Город |